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收到程俊玲收秋的加密文件包,刘林直接把资料移到电脑上,解密后打开。
刘林用了半个多小时,才把程俊玲修改后的技术资料,跟微型电路设计图看完。
程俊玲的采用薄膜激光工艺直接硅基片上制作电路元、器件及其接线,并加以封装而成。
薄膜激光包括蒸发、溅射、化学气相淀积等。
他的特点是所制作的元件参数范围宽、精度高、温度频率特性好,可以工作到毫米波段。并且集成度较高、尺寸较小。
但是所用工艺设备比较昂贵、生产成本较高。
薄膜混合集成电路适用于各种电路,特别是要求精度高、稳定性能好的模拟电路。
与其他集成电路相比,它更适合于微型电路。
薄膜作为交叉导体的绝缘和薄膜电路的保护层,各种薄膜的作用不同,所以对它们的要求和使用的材料也不相同。
对导电薄膜的要求除了经济性能外,主要是导电率大。
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刘林看到详细解释,程俊玲不是跟传统的一样,以硅片为主材料。
因为材料的限制,所以必须采用多层结构,常用的是四层结构,铬-铜-铬-金(Cr-Cu-Cr-Au)
对介质薄膜要求介电常数大、介电强度高、损耗角正切值小。
程俊玲用了氧化硅(SiO)、氧化钽和它们的双层复合结构:-SiO和-SiO2。
......
刘林把所有东西理顺之后,嘴角不由的抽了抽!
打开相应的软件,慢慢修改了起来。
硅材料局限性太大,并不适合,HDAG刚好可以派上用场。只要把磁性控制在1.0以内那就绝对没问题。
两小时后,刘林终放下手中的鼠标。
又检查了一次之后,确认没问题,便把包发给程俊玲。
就在刘林把资料发出不到五分钟,电话跟着追了过来。
“喂,书呆子,你资料上所说的1.0的超磁材料,存在吗?”电话一接通,程俊玲也不等刘林反应,急吼吼地道。
“就不能小声点,一惊一炸的!”刘林把手机举得远远的,刚才差点给程俊玲吼成了聋子,最后鄙视道:“我敢在资料上注明,自然有这样的材料。”
“我怎么没听过有这样的材料。”程俊玲急道:“有这样的材料,我可以把性能再提升二倍一以上。”
“差不多就行了,目前来说已经够用了,再提升也没什么意义。”刘林太阳穴不由的(突突...)的跳了两下,急忙劝道。
这程俊玲有时候就是人来疯,想到啥就来啥。
一点都不考虑后果的。
半小时之后,刘林把程俊玲劝住,挂掉电话,叹了口气,继续自己未完成的大业。
超磁计算中心的制造。
虽然汇换出来的是全套制造技术,但是还是有不少地方需要调整的。
CPU要等小米的芯片部门收购完成后,才能动,内存条可以直接在实验室制造,不过这中间要用到超导材料。
这个超导材料,让刘苛去趟冶炼工厂吧,刚好他们现在都在北京那边。
刘林把整理好的资料,发一份给刘苛,之后又打了个电话过去,等交代好,时间已经是下午六点多。
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