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第41章 三极管（第2页）

这次的研究，方浩也在立志于打造一个产业的数学模型，使得以后的研究能够按照这个数学模型慢慢发展，良好地传承下去。

……

信息研究院。

“我们在半导体中掺杂了很多的元素，其中一些元素很难掺杂，不过我结合了修真技术完美地解决了这些难题，我将元素周期表中的87种元素按照不同浓度，掺杂在半导体中，现在一共制成了15257种样品，发现了它们的各种特性，目前正在紧张实验之中。”来到半导体实验室，冰雪向他介绍道。

冰雪女妖已经是信息研究部门的部门领导，方浩不再兼任信息研究部门领导的职位，而是专心领导研究院，统筹所有的部门，研究整个科技体系。

这种系统的研究是经过众位研究院专家讨论出来的，类似一种穷举法，也就是利用几种元素组合，然后合成各种不同占比的材料。

不仅仅是硅半导体，还有其它种类的半导体，如果要完成所有的研究，需要几年时间的数据积累，然后选出适用的半导体。

还好材料技术不是他来管，而是河的团队，否则光是这些材料技术都要把方浩烦死了，里面涉及很多的技术，需要设计很多的机械设备。

“其它的几种元素还是找不到吗？”方浩点点头，然后问道。

“探险队从星空中找到了一块星空重金属陨石，里面的元素非常丰富，其它的元素也可以找到，但是很难分离，因为它们都是重金属，目前还没有分离它们的办法，不过材料研究所的人正在紧锣密鼓的研究，相信过段时间就会做出突破。”冰雪女妖说道。

“嗯，你们做的不错，另外注意下新人，看看没有好的苗子，如果有的话好好培养一下，但是要注意笼络，不要让他们跑了。”方浩吩咐道。

“嘻嘻，你放心吧，这些事情我有注意。”冰雪嘻嘻一笑，说道。

……

机械研究所，到处是隆隆作响的机器，河陪着方浩视察着。

“我们的掺杂技术有了多少进展？”看着面前的机器，方浩问道。

“我们进展很顺利，还要感谢你的提示，我们班能这么快找到办法，目前进展速度最快的掺杂技术有两种，高温扩散掺杂和离子注入掺杂，目前的进度很快，想必不需要多久就可以实现初步的量产。”河回答道。

“不要急，我们慢慢来，掺杂技术的前景很大，我们要为以后的发展打下基础，不能光赶进度。”方浩道。

“我知道，相关的数据我们一直在收集和处理。”河回道。

热扩散技术是一种比较容易的掺杂技术，想要把杂质掺入半导体晶体，就需要进行较高温度的热扩散，因为杂质原子的半径一般都比较大，它们要直接进入半导体晶格的间隙中去，这样是很困难的，只有当晶体中出现有晶格空位后，杂质原子才有可能进去占据这些空位，并从而进入到晶体。

为了让晶体中产生出大量的晶格空位，所以，就必须对晶体加热，让晶体原子的热运动加剧，以使得某些原子获得足够高的能量而离开晶格位置、留下空也因此原子的扩散系数随着温度的升高而指数式增大。

离子注入掺杂技术是一种比较先进的技术，为了使杂质原子能够进入到晶体中去，需要首先把杂质原子电离成离子，并用强电场加速、让这些离子获得很高的动能，然后再直接轰击晶体、并挤进到里面去，这就是注入。

当然，采用离子注入技术掺杂时，必然会产生出许多晶格缺陷，同时也会有一些原子处在间隙中，所以，半导体在经过离子注入以后，还必须要进行退火处理，以消除这些缺陷和使杂质激活。

因为杂质原子要能够提供载流子，就必须处于替代si原子的位置上，这样才能产生载流子。

所以在半导体中，即使掺入了杂质原子，但是如果这些杂质原子没有进入到替代位置，那么它们也将起不到提供载流子的作用，因此，还需要进行一定的热处理步骤。

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